[发明专利]非易失性存储元件及非易失性存储装置有效
| 申请号： | 201080001686.6 | 申请日： | 2010-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN102047423A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 片山幸治;高木刚 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;G11C13/00;H01L45/00;H01L49/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种动作偏差较小、而且能够实现稳定动作的非易失性存储元件及非易失性存储装置。该非易失性的存储元件具有：第1电极(102)；第2电极(106)；电阻变化层(105)，介于这两个电极(102和106)之间而形成，而且与两个电极(102和106)连接，根据施加到两个电极(102和106)之间的电压的极性，可逆地在高电阻状态和低电阻状态之间转变；固定电阻层(104)，介于两个电极(102和106)之间而形成，而且与电阻变化层(105)的至少一部分并联地电连接，其电阻值在电阻变化层(105)为高电阻状态时的电阻值的0.1倍～10倍的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 元件 装置 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储元件，是非易失性的存储元件，具有：第1电极；第2电极；电阻变化层，介于所述第1及第2电极之间而形成，而且与所述第1及第2电极连接，根据施加到所述第1及第2电极之间的电压的极性，可逆地在高电阻状态和低电阻状态之间转变；以及固定电阻层，介于所述第1及第2电极之间而形成，而且与所述电阻变化层的至少一部分并联地电连接，其电阻值在所述电阻变化层为高电阻状态时的电阻值的0.1倍～10倍的范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
