[发明专利]改善高频电极的连接方法的晶片保持体及搭载该晶片保持体的半导体制造装置无效
| 申请号: | 201080001676.2 | 申请日: | 2010-03-17 |
| 公开(公告)号: | CN102047383A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
| 发明(设计)人: | 三云晃;西本悦弘;木村功一;仲田博彦 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 王海川;穆德骏 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供一种晶片保持体及搭载该晶片保持体的半导体制造装置,所述晶片保持体具有不产生异常过热或微粒的可靠性高的高频电极电路。本发明提供晶片保持体(10),设置于腔室内,具有埋设有高频电极电路(5)的晶片保持部(1)、从晶片保持部(1)的晶片载置面(1a)的相反侧的面(1b)支撑晶片保持部(1)的支撑构件(2)、相对于该支撑构件(2)设置于晶片保持部(1)的相反侧的接地部件(3)以及插入支撑构件(2)的内部且将高频电极电路(5)和接地部件(3)电连接的导电性连接部件(7),其中,该导电性连接部件(7)具有沿垂直方向变形的能力,并且,导电性连接部件(7)中的形成主要电流通路的连接部分以面接触的方式固定。 | ||
| 搜索关键词: | 改善 高频 电极 连接 方法 晶片 保持 搭载 半导体 制造 装置 | ||
【主权项】:
一种晶片保持体,设置于腔室内,具有埋设有高频电极电路的晶片保持部、从该晶片保持部的晶片载置面的相反侧的面支撑该晶片保持部的支撑构件、相对于该支撑构件设置于晶片保持部的相反侧的接地部件以及插入该支撑构件的内部且将该高频电极电路和该接地部件电连接的导电性连接部件,所述晶片保持体的特征在于,该导电性连接部件具有沿垂直方向变形的能力,并且,导电性连接部件中的形成主要电流通路的连接部分以面接触的方式固定。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社,未经住友电气工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080001676.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种虚拟现实眼镜结构
- 下一篇:一种可配不同规格透镜装置结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





