[实用新型]平面晶体管有效
| 申请号： | 201020684981.3 | 申请日： | 2010-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN201927611U | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 陈震;蒋荣庆 | 申请（专利权）人： | 扬州晶新微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/08;H01L29/417 |
| 代理公司： | 扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222 | 代理人： | 孙忠明 |
| 地址： | 225009 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 平面晶体管，包括芯片、铝电极(1)、以及彼此层叠的第一钝化层(5)和第二钝化层(2)，所述芯片上形成有发射区(3)、基区(4)和集电区(6)，所述第一钝化层和第二钝化层上形成有引线孔，所述引线孔分别对准所述发射区和基区并填充有所述铝电极，所述引线孔形成为台阶孔，所述铝电极对应地形成有至少两级台阶。本实用新型的平面晶体管的引线孔中存在台阶，因此引线孔上部周缘处的铝电极会相应地形成有台阶，这样引线孔上部周缘处的铝电极会显著增厚，足以承受平面晶体管在使用过程中的大电流，从而有效地改善了平面晶体管在大电流工作条件下的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 晶体管 | ||
【主权项】：
平面晶体管，包括芯片、铝电极(1)、以及彼此层叠的第一钝化层(5)和第二钝化层(2)，所述芯片上形成有发射区(3)、基区(4)和集电区(6)，所述第一钝化层和第二钝化层上形成有引线孔，所述引线孔分别对准所述发射区和基区并填充有所述铝电极，其特征是，所述引线孔形成为台阶孔，所述铝电极对应地形成有至少两级台阶。
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