[实用新型]复合内钝化层双沟槽结构大功率硅整流器件

摘要

本实用新型涉及一种复合内钝化层双沟槽结构大功率硅整流器件，包括有：由中间层单晶硅本体及依附在中间层单晶硅本体的上掺杂层和下掺杂层组成的芯片体、台面、上电极金属层、下电极金属层，所述台面为两并列且相隔一定间距的双沟槽，两并列双沟槽内为钝化保护区域，两并列双沟槽的外侧为预留机械切割区域，所述上电极金属层位于芯片体双沟槽复合多层钝化区的中间上方，下电极金属层位于下掺杂层的外侧。本实用新型具有以下优点：设立了预留机械切割区域，硅片切割为芯片时在预留机械切割区域切割，避免了切割刀直接作用在玻璃钝化层上，切割是在芯片不使用区域上进行，切割损伤层及扩展损伤层均落在芯片不使用区域内，产品质量得以保证。

主权项

一种复合内钝化层双沟槽结构大功率硅整流器件，包括有由中间层单晶硅本体及依附在中间层单晶硅本体的上掺杂层和下掺杂层组成的芯片体、台面、上电极金属层、下电极金属层，其特征在于，所述台面为两并列且相隔一定间距的双沟槽，两并列双沟槽内为钝化保护区域，两并列双沟槽的外侧为预留机械切割区域，所述沟槽由中间层单晶硅体与上掺杂层构成，沟槽表面依次层叠有微氧化层、多晶硅薄膜、氮化硅薄膜、玻璃层组成的复合内钝化层；所述上电极金属层位于芯片体双沟槽复合多层钝化区中间的上方，下电极金属层位于下掺杂层的外侧。