[实用新型]半导体薄膜材料低温下的电导率及塞贝克系数测试装置无效
| 申请号： | 201020655543.4 | 申请日： | 2010-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN201903526U | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 王学生;疏敏;戚学贵;代晶晶;任超 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学 |
| 主分类号： | G01N27/02 | 分类号： | G01N27/02;G01N27/18 |
| 代理公司： | 上海三和万国知识产权代理事务所 31230 | 代理人： | 刘立平 |
| 地址： | 200237 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体薄膜材料低温下的电导率及塞贝克系数测试装置，包括连接的温度控制单元、低温测试单元和数据采集单元，其特征在于，所述温度控制单元包括：液氮杜瓦罐(1)、置于液氮杜瓦罐(1)中的低温真空容器(2)、连接于液氮杜瓦罐(1)的温控仪(3)、薄膜电加热片(4)及恒流源(5)；所述低温测试单元包括连接位于低温真空容器2中的热电薄膜材料试样(16)的冷端测温热电偶(6)及热端测温热电偶(7)，和温度范围80K至室温下适用的电动势测量线(8)。本实用新型结构简单、无运动部件、可方便地进行低温下电导率及Seebeck系数测量，且可有效实现低温下LNG冷能温差发电薄膜材料热电性能参数的测量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 薄膜 材料 低温 电导率 贝克 系数 测试 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体薄膜材料低温下的电导率及塞贝克系数测试装置，整个测试装置包括连接的温度控制单元、低温测试单元和数据采集单元，其特征在于，所述温度控制单元包括：液氮杜瓦罐(1)、置于液氮杜瓦罐(1)中的低温真空容器(2)、连接于液氮杜瓦罐(1)的温控仪(3)、薄膜电加热片(4)及恒流源(5)；所述低温测试单元包括连接位于低温真空容器(2)中的热电薄膜材料试样(16)的冷端测温热电偶(6)及热端测温热电偶(7)，和温度范围80K至室温下适用的电动势测量线(8)；所述数据采集单元包括经由冷端测温热电偶(6)及热端测温热电偶(7)、电动势测量线(8)的数据采集器(9)及其相连接的计算机(10)。
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