[实用新型]一种硅双向瞬态电压抑制二极管有效
| 申请号： | 201020644042.6 | 申请日： | 2010-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN201877435U | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 周鹏;吴贵松;周廷荣 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 刘楠 |
| 地址： | 550018 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种硅双向瞬态电压抑制二极管，包括管壳（1），在管壳（1）内设有芯片（2），芯片（2）的一个N区直接与A极（3）连接，芯片（1）的另一个N区经连接片（4）与B极（5）连接。本实用新型采用贴片式封装，具有体积小，重量轻、瞬间吸收功率大及可靠性高的特点。随着武器装备系统向着小型化、智能化方向发展，具有更小体积和更便于安装的表贴类瞬态电压抑制二极管有更好的发展前景；并且该器件在研制过程中采用了非常先进的平行缝焊封装技术，使得器件内部气氛能够控制在更低的水平，很好的提升的器件的使用寿命，具有更好的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双向 瞬态 电压 抑制 二极管 | ||
【主权项】：
一种硅双向瞬态电压抑制二极管，包括管壳（1），其特征在于：在管壳（1）内设有芯片（2），芯片（2）的一个N区直接与A极（3）连接，芯片（2）的另一个N区经连接片（4）与B极（5）连接。
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