[实用新型]高亮度LED

摘要

本实用新型提供了一种高亮度LED，包含有自下而上依次排列的衬底、N-有源层、量子阱、P-有源层和P-电极层，并在N-有源层上设有N-电极，其中：所述P-电极为铟锡氧化物电极，在所述P-电极与P-有源层的交界面上设有表面等离子金属结构，所述的表面等离子金属结构，是在P-电极的下表面设有等间距排布的圆柱状盲孔的阵列，并在该每个盲孔中填充有金属棒；在所述N-有源层与衬底交界面上设有光子晶体结构，所述的光子晶体结构，是在N-有源层的下表面设有等间距排布的圆柱状盲孔的阵列，该盲孔为空气孔。采用上述结构的本实用新型的LED，其光提取率提高到了30%以上。

主权项

一种高亮度LED，包含有自下而上依次排列的衬底、N 有源层、量子阱、P 有源层和P 电极层，并在N 有源层上设有N 电极，其特征在于：所述P 电极为铟锡氧化物电极，在所述P 电极的下表面设有等间距排布的圆柱状盲孔的阵列，在该每个盲孔中填充有金属棒；在所述N 有源层的下表面设有等间距排布的圆柱状盲孔的阵列，该盲孔为空气孔。