[实用新型]具有磁场校直特性的漂移管有效

专利信息
申请号: 201020601791.0 申请日: 2010-11-11
公开(公告)号: CN201860503U 公开(公告)日: 2011-06-08
发明(设计)人: 张富治;周军;杨继涛;欧阳佳佳;王坤 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十二研究所
主分类号: H05H7/22 分类号: H05H7/22
代理公司: 信息产业部电子专利中心 11010 代理人: 李勤媛
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种具有磁场校直特性的漂移管,属于微波真空电子器件领域,包含具有多个并列通孔的莲耦形管体,采用软磁片及非磁性垫片交替平行叠放并焊接在一起,沿垂直于各软磁片及非磁性垫片的轴线方向,设置所述的多个并列通孔。采用这种将软磁片及非磁性垫片交替平行叠放并焊接成一体的漂移管,具有磁校直特性,它大大降低了横向磁场,而对轴向磁场影响很小,这是所希望的结果。
搜索关键词: 具有 磁场 特性 漂移
【主权项】:
一种具有磁场校直特性的漂移管,包含具有多个并列通孔的莲耦形管体,其特征在于,采用软磁片及非磁性垫片交替平行叠放并焊接在一起,沿垂直于各软磁片及非磁性垫片的轴线方向,设置所述的多个并列通孔。
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