[实用新型]辐射探测器及其成像装置和电极结构无效
| 申请号： | 201020536985.7 | 申请日： | 2010-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN201852941U | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 张岚;陈志强;赵自然;吴万龙;李元景;邓智;郑晓翠 | 申请（专利权）人： | 同方威视技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/02 | 分类号： | G01T1/02;G01T1/24;G01N23/04;A61B6/03 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种辐射探测器及其成像装置和电极结构。该辐射探测器包括辐射敏感薄膜、位于辐射敏感薄膜上的顶部电极、以及与辐射敏感薄膜电耦合的像素单元的阵列，其中每一个像素单元包括；像素电极，用于收集辐射敏感薄膜的一个像素区域中的电荷信号；储存电容，用于储存像素电极所收集的电荷信号；复位晶体管，用于清空储存电容中的电荷；缓冲晶体管，用于将像素电极上的电荷信号转换成电压信号并传送到信号线上；列选通晶体管以及行选通晶体管，其中，列选通晶体管和行选通晶体管串联连接在缓冲晶体管和信号线之间，并响应列选通信号和行选通信号传送相应的像素单元的电压信号。该辐射探测器可用于例如X射线数字成像。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射 探测器 及其 成像 装置 电极 结构 | ||
【主权项】：
一种辐射探测器，其特征是：所述辐射探测器包括辐射敏感薄膜、位于辐射敏感薄膜上的顶部电极、以及与辐射敏感薄膜电耦合的像素单元的阵列，其中每一个像素单元包括；像素电极，用于收集辐射敏感薄膜的一个像素区域中的电荷信号；储存电容，与像素电极连接，用于储存像素电极所收集的电荷信号；复位晶体管，与像素电极连接，用于清空储存电容中的电荷；缓冲晶体管，与像素电极连接，用于将像素电极上的电荷信号转换成电压信号并传送到信号线上；列选通晶体管，用于选择预定列的像素电极；以及行选通晶体管，用于选择预定行的像素电极，其中，列选通晶体管和行选通晶体管串联连接在缓冲晶体管和信号线之间，并响应列选通信号和行选通信号传送相应的像素单元的电压信号。
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