[实用新型]室温锑化铟红外传感器的半导体制冷装置无效

专利信息
申请号: 201020518722.3 申请日: 2010-09-03
公开(公告)号: CN201803945U 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 杨灿谦;刘大平;周仲安 申请(专利权)人: 上海化工研究院
主分类号: G01N21/35 分类号: G01N21/35;G01N21/01;G01N21/15;F25B21/02;H01L35/28
代理公司: 上海集信知识产权代理有限公司 31254 代理人: 王月珍
地址: 200062 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种室温锑化铟红外传感器的半导体制冷装置,是仪器仪表半导体制冷装置,解决现有室温锑化铟红外传感器的探测率随环境温度升高而迅速下降,影响仪器仪表灵敏度和产生基线漂移的问题,本装置包括红外光聚光吸收室组件、半导体制冷片组、导冷块、散热片组、冷却风扇、N沟道场效应半导体大功率管、控制电路板、铂电阻温度计以及安装上述部件的支架。本装置可使锑化铟红外传感器制冷到室温以下35℃的温度,控制精度可达0.1℃,在光路上有防结雾结构,传感器引脚有防漏电结构。本装置使锑化铟红外传感器的灵敏度有很大提高,并不随环境温度变化,改善了红外气体分析仪的性能。本实用新型还具有外形小巧、工作可靠、安装方便等特点。
搜索关键词: 室温 锑化铟 红外传感器 半导体 制冷 装置
【主权项】:
一种室温锑化铟红外传感器的半导体制冷装置,其特征在于包括:红外光聚光吸收室组件,包括以下部件:吸收室本体;在吸收室本体的前端胶合一个凸透镜;在吸收室本体内黏合有一个聚光杯;在吸收室本体的后端置有锑化铟红外传感器,吸收室本体内从凸透镜到锑化铟红外传感器之间形成的空腔内充有高纯氮气;锑化铟红外传感器的两个引脚与引线连接,在该连接处套有防漏电的塑料套筒,所述塑料套筒、引脚、引线一起固定在锑化铟红外传感器的底座上;导冷块,长方体状,由金属材料制成,其纵向中间置有一个圆柱形内腔,所述聚光吸收室组件的前端用螺丝固定连接于导冷块的圆柱形内腔中,形成一个主体组件,导冷块上分别设有连接接地线的接地线孔及内装铂电阻温度计的铂电阻孔;半导体制冷片组,由4个半导体制冷片组成,4个半导体制冷片的冷面用固化导热脂分别贴于所述导冷块的4个纵向外壁;散热片组,由4个散热片组成,4个散热片用导热脂分别对应贴在所述4个半导体制冷片的发热面上,并用数个螺丝将4个散热片相互抽紧连接,在其中的一个散热片的通风槽中安装一个N沟道场效应半导体大功率管;支架,是由横架和竖架组成的“L”型支架,竖架的前端固定连接所述主体组件,竖架的后端连接风扇和控制电路板,横架上设有两个安装槽;所述控制电路板,分别与外接直流电源以及与所述冷却风扇、半导体制冷片组,N沟道场效应半导体大功率管、铂电阻温度计连接。
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