[实用新型]一种采用VMOS硬件记忆式外设驱动有效
| 申请号： | 201020509163.X | 申请日： | 2010-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN201764629U | 公开（公告）日： | 2011-03-16 |
| 发明（设计）人： | 岑磊;赵志强;宋莹 | 申请（专利权）人： | 合肥通用电源设备有限公司 |
| 主分类号： | F24F11/00 | 分类号： | F24F11/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥市高新*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种采用VMOS硬件记忆式外设驱动，主要包括，电阻(1)、二极管(2)、电容(3)、继电器(4)其中电阻(1)与二极管(2)、电容(3)串联，其二极管(2)与电阻(1)并联，电容(3)与电阻(1)并联，其电容(2)的一端通过电路连接继电器(4)，其继电器(4)与一二极管(2)并联，电容(3)与继电器(4)连接的电路中，采用了VMOS管，本实用新型的有益效果为：VMOS管作为CPU的外级驱动器，在强干扰的电磁环境中，利用寄生电容的硬件存储效应，保持VMOS的有效输出状态长达1秒的时间，VMOS管作为CPU的外级驱动器，在强干扰的电磁环境中，有效克服干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 vmos 硬件 记忆 外设 驱动 | ||
【主权项】：
一种采用VMOS硬件记忆式外设驱动，主要包括，电阻(1)、二极管(2)、电容(3)、继电器(4)，其中电阻(1)与二极管(2)、电容(3)串联，其二极管(2)与电阻(1)并联，电容(3)与电阻(1)并联，其电容(3)的一端通过电路连接继电器(4)，其继电器(4)与一二极管(2)并联，其特征在于：电容(3)与继电器(4)连接的电路中，采用了VMOS管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥通用电源设备有限公司，未经合肥通用电源设备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201020509163.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
