[实用新型]一种MOCVD设备及其反应室密封结构有效
| 申请号: | 201020287647.4 | 申请日: | 2010-08-11 |
| 公开(公告)号: | CN201793731U | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
| 发明(设计)人: | 吴智洪 | 申请(专利权)人: | 上海昀丰光电技术有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明 |
| 地址: | 201201 上海市张江高*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本实用新型公开了一种MOCVD反应室密封结构,包括:水冷电极内外管套轴,其上设有供四个水冷电极外管穿过的四个套管安装孔以及热电偶安装孔,水冷电极内外管套轴套设在四个水冷电极外管上,石墨托盘转轴可转动的套设在水冷电极内外管套轴上;设置在石墨托盘转轴和水冷电极内外管套轴之间的内图磁流体;套装在石墨托盘转轴上并固定在机架安装板上的磁流体座;设置在石墨托盘转轴和磁流体座之间的外圈磁流体。本实用新型通过分别在石墨托盘转轴与水冷电极内外管套轴、石墨托盘转轴与磁流体座之间设置磁流体,实现密封。不需要用N2去实现反应室腔体内外的隔绝。本实用新型还公开了一种具有上述密封结构的MOCVD设备。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 mocvd 设备 及其 反应 密封 结构 | ||
【主权项】:
一种MOCVD反应室密封结构,该反应室包括石墨托盘组件及扣设在所述石墨托盘组件上的石英管,所述反应室内设有加热器组件,所述加热器组件通过设置在其下端的四个水冷电极供电,各个水冷电极分别连接有相互套装的水冷电极内管和水冷电极外管,四个水冷电极外管的外侧可转动的设置有与所述石墨托盘组件相连的石墨托盘转轴,其特征在于,包括:水冷电极内外管套轴,其上设有供所述四个水冷电极外管穿过的四个套管安装孔以及热电偶安装孔,所述水冷电极内外管套轴套设在所述四个水冷电极外管上,所述石墨托盘转轴可转动的套设在所述水冷电极内外管套轴上;设置在所述石墨托盘转轴和所述水冷电极内外管套轴之间的内圈磁流体;套装在所述石墨托盘转轴上并固定在机架安装板上的磁流体座;设置在所述石墨托盘转轴和所述磁流体座之间的外圈磁流体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海昀丰光电技术有限公司,未经上海昀丰光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201020287647.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





