[实用新型]一种化合物半导体单晶生长用PBN和石墨复合结构坩埚有效
| 申请号： | 201020277351.4 | 申请日： | 2010-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN201883181U | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 何军舫;房明浩;刘艳改;黄朝晖 | 申请（专利权）人： | 北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 101101 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种化合物半导体单晶生长用BN/石墨复合坩埚。本实用新型的BN/石墨复合坩埚，其特征在于：所述的坩埚由外部石墨支撑层和内部与化合物半导体接触的热解BN内层构成，石墨支撑层的厚度范围为3mm-15mm，热解BN内层的厚度范围为5μm-3mm。这种坩埚的优点在于：1、热解BN层薄，厚度可以小于1mm；2、使用后可以容易的实现热解BN层和石墨支撑层的分离，在石墨支撑层内壁可以再次制备热解BN内层，从而实现这种化合物半导体单晶生长用坩埚的重复使用，从而降低使用成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 半导体 生长 pbn 石墨 复合 结构 坩埚 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体单晶生长用复合坩埚，其特征在于，所述的坩埚由外部石墨支撑层和内部与化合物半导体接触的热解BN内层构成，石墨支撑层的厚度范围为3mm 15mm，热解BN内层的厚度范围为5μm 3mm。
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