[实用新型]一种化合物半导体单晶生长用坩埚有效
| 申请号： | 201020277331.7 | 申请日： | 2010-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN201883176U | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 何军舫;房明浩;刘艳改;黄朝晖 | 申请（专利权）人： | 北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/42;C30B29/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 101101 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种化合物半导体单晶生长用热解氮化硼(PBN)坩埚，属于化合物半导体单晶生长技术领域。本实用新型的PBN坩埚，其特征在于：坩埚坩主体部分成倒锥形，下部是圆柱形籽晶槽。这种坩埚制造方法简单、不需要复杂设备。在采用垂直晶体生长法中使用该坩埚，可以控制化合物单晶生长固液界面形状，能够提高全单晶的形成概率，并减少位错等缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 半导体 生长 坩埚 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体单晶生长用坩埚，由热解氮化硼(PBN)制成，其特征在于，所述的坩埚主体部分成倒锥形，下部是圆柱形籽晶槽。
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