[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201020253562.4 | 申请日： | 2010-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN201829506U | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 范爱民 | 申请（专利权）人： | 西安能讯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;刘瑞东 |
| 地址： | 710075 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体器件。根据本实用新型的一个方面的半导体器件，包括：在衬底上的半导体层；在上述半导体层上的隔离层；在上述隔离层上的钝化层；与上述半导体层电气相通的源极和漏极；以及在上述隔离层上的栅极；其中，上述栅极包括下部、中部和上部，上述下部和/或上述中部构成场板结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：在衬底上的半导体层；在上述半导体层上的隔离层；在上述隔离层上的钝化层；与上述半导体层电气相通的源极和漏极；以及在上述隔离层上的栅极；其中，上述栅极包括下部、中部和上部，上述下部和/或上述中部构成场板结构。
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