[实用新型]具有低温中间层的氮化镓系发光二极管无效
| 申请号： | 201020197037.5 | 申请日： | 2010-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN201766092U | 公开（公告）日： | 2011-03-16 |
| 发明（设计）人： | 李刚;胡建正;祝光辉 | 申请（专利权）人： | 上海蓝宝光电材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201616*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种具有低温中间层的氮化镓系发光二极管。其结构与现有的氮化镓系发光二极管的最主要差异是，在InGaN/GaN多量子阱活性层与p型GaN接触层之间生长低温中间层，该低温中间层由低温p型氮化镓层和低温p型铟镓氮/铟铝镓氮超晶格组成。结果表明，通过设置该低温中间层，氮化镓系发光二极管的发光强度和发光效率得到较大的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 低温 中间层 氮化 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种氮化镓系发光二极管，其包括：基板；缓冲层，其位于所述基板上；n型接触层，其位于所述缓冲层上，由n型GaN构成；活性层，其位于所述n型接触层上并覆盖所述n型接触层的部分表面，由InxGa1 xN阱层和InyAlzGa1 y zN垒层交互层叠形成的多量子阱所构成，其中0＜x＜1，0≤y＜1，0≤z＜1，0≤y+z＜1；负电极，其位于所述n型接触层未被所述活性层覆盖的上表面上；低温中间层，其位于所述活性层上，由低温p型GaN层和低温p型铟镓氮/铟铝镓氮超晶格组成；p型接触层，其位于所述低温中间层上，由p型Ⅲ族氮化物半导体构成；正电极，其位于所述p型接触层上。
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