[实用新型]一体化光电二极管无效
| 申请号： | 201020161423.9 | 申请日： | 2010-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN201754411U | 公开（公告）日： | 2011-03-02 |
| 发明（设计）人： | 崔峰敏 | 申请（专利权）人： | 傲迪特半导体(南京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/105 | 分类号： | H01L31/105;H01S5/024 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 樊文红 |
| 地址： | 210034 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一体化光电二极管，晶圆上部侧面及激光二极管的后面形成的投影光受光的P+区域，所述P+区域向外形成的N+区域；所述P+区域及N+区域的上面，共同吸附形成的防止激光二极管投影光的反射防止膜；在所述P+区域及反射防止膜的上面形成的电极金属；在所述N+区域的上面吸附形成的反射防止膜的表面上，用来安置激光二极管的粘着金属；在所述晶圆的背面形成的电极及粘着兼用的金属。采用一体化光电二极管，可缩短制造激光二极管装置的工序，降低不良率，降低成本等。 | ||
| 搜索关键词： | 一体化 光电二极管 | ||
【主权项】：
一体化光电二极管，其特征是，晶圆上部侧面及激光二极管的后面形成的投影光受光的P+区域，所述P+区域向外形成的N+区域；所述P+区域及N+区域的上面，共同吸附形成的防止激光二极管投影光的反射防止膜；在所述P+区域及反射防止膜的上面形成的电极金属；在所述N+区域的上面吸附形成的反射防止膜的表面上，用来安置激光二极管的粘着金属；在所述晶圆的背面形成的电极及粘着兼用的金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
