[实用新型]射频横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

摘要

一种射频横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(RF LDMOS)，它是应用在大功率通讯，航空航海通讯，城市内集群通讯，油田通讯等方面的电子器件。这种晶体管(RF LDMOS)把第一蓝宝石、第二蓝宝石、第一氧化硅内匹配电容器、第二氧化硅内匹配电容器和硅芯片的源端都烧结在无氧铜块上，并进行电气连接和采用陶瓷盖封装，烧结在第一蓝宝石上的第一引线构成输入端，烧结 第二蓝宝石上的第二引线构成输出端。这种晶体管(RF LDMOS)具有负的热损坏特性，芯片内大电流流过的区域或局部热点会自动减小该区的电流，具有自我保护功能，RF LDMOS的制造加工工艺简单，线性度好，单位面积输出功率密度大，能进一步减小管芯面积，增加成品率，达到了降低成本的目的。

主权项

一种射频横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，它主要包括一个在无氧铜块(1)上设有的硅芯片(4)，其特征在于：它还包括一个第一蓝宝石(2)、一个第二蓝宝石(2a)、一个第一氧化硅内匹配电容器(3)和一个第二氧化硅内匹配电容器(3a)，所述第一蓝宝石(2)、第二蓝宝石(2a)、第一氧化硅内匹配电容器(3)、第二氧化硅内匹配电容器(3a)和硅芯片(4)的源端都烧结在无氧铜块(1)上，并进行电气连接和采用陶瓷盖(5)封装，烧结在第一蓝宝石(2)上的第一引线(6)构成输入端，烧结在第二蓝宝石(2a)上的第二引线(6a)构成输出端。