[实用新型]用于离子注入的晶圆固定装置有效
| 申请号: | 201020130286.2 | 申请日: | 2010-03-12 |
| 公开(公告)号: | CN201673897U | 公开(公告)日: | 2010-12-15 |
| 发明(设计)人: | 叶文源;黄柏喻;陈勇杉;王蒙;逄锦涛 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;C23C14/48 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
| 地址: | 20120*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本实用新型公开了一种用于离子注入的晶圆固定装置,其包括用于静电吸附晶圆的晶圆吸盘,所述晶圆吸盘的内部由中心向边缘均匀设有至少两根独立的冷却管,每根冷却管分别与外部对应的冷却器连接构成独立的冷却水循环回路。本实用新型的用于离子注入的晶圆固定装置,通过在晶圆吸盘的内部均匀设置多套独立的冷却管,使得在晶圆的整个离子注入的过程中,可通过预先调整各个冷却管的温度来调整该各个冷却管所对应的晶圆内外各个区域的温度,从而改变所述晶圆内外各个区域的离子注入的行为模式,以补偿晶圆内外各个区域因制程工艺所造成的器件的阈值电压不均匀性,使得该晶圆内外各个区域的器件的阈值电压更加稳定,从而,有效提高半导体器件的良率。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 离子 注入 固定 装置 | ||
【主权项】:
一种用于离子注入的晶圆固定装置,包括用于静电吸附晶圆的晶圆吸盘,其特征在于,所述晶圆吸盘由中心向边缘均匀设有至少两根独立的冷却管,每根冷却管分别与外部对应的冷却器连接构成独立的冷却水循环回路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





