[实用新型]芯片背面多层金属化结构有效
| 申请号： | 201020123883.2 | 申请日： | 2010-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN201638807U | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | 王新潮;冯东明;叶新民;王文源;江浩 | 申请（专利权）人： | 江阴新顺微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人： | 唐纫兰 |
| 地址： | 214431 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种芯片背面多层金属化结构，属集成电路或分立器件制造技术领域。所述结构自上至下依次由硅衬底层(1)、金-硅共溶层(2)和金接触层(3)共三层复合而成。本实用新型的有益效果是：本实用新型利用金-硅共溶层合金效果降低芯片内部残余应力，整体金属化结构采用多层金属分布减少贵重材料消耗，利于大规模生产制造。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 背面 多层 金属化 结构 | ||
【主权项】：
一种芯片背面多层金属化结构，其特征在于所述结构自上至下依次由硅衬底层(1)、金-硅共溶层(2)和金接触层(3)共三层复合而成。
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