[实用新型]一种LED芯片无效
| 申请号： | 201020027107.2 | 申请日： | 2010-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN201584432U | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 周浩明 | 申请（专利权）人： | 中山市盈点光电科技有限公司;中山市多点光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528415 广东省中*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种LED芯片，包括金属基板；依次层叠设置在金属基板上的阳极金属电极层、电流扩散层、p型半导体材料层、发光层、n型半导体材料层、以及阴极金属电极层；在电流扩散层与p型半导体材料层之间，阳极金属电极层上方对应的位置上，形成有电流阻挡层。由于在阳极金属电极层上方对应的位置上，形成有电流阻挡层，所以流入电流扩散层的电流不会积聚在阳极金属电极层的上方，利用电流阻挡层减少芯片电极上方的电流积聚，减少电极对光的吸收，使电流均匀地扩散在阳极金属电极层上方以外的发光层上，同时出光面上只有一个电极，从而可以最大程度地增加出光面的面积以及减少阳极金属电极层对光的吸收，提高了芯片的出光率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，包括金属基板；依次层叠设置在金属基板上的阳极金属电极层、电流扩散层、p型半导体材料层、发光层、n型半导体材料层、以及阴极金属电极层；其特征在于：在电流扩散层与p型半导体材料层之间，阳极金属电极层上方对应的位置上，形成有电流阻挡层。
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