[实用新型]低位错密度的LED芯片

摘要

本实用新型低位错密度的LED芯片，属于LED芯片技术领域；提供一种低位错密度的LED芯片；采用的技术方案是：低位错密度的LED芯片，包括：蓝宝石衬底、GaN缓冲层、N型电极、反射层、金属热沉单元、N型GaN、有源层、P型GaN和P型电极，蓝宝石衬底的上方自下而上依次设置有GaN缓冲层、N型电极、反射层、金属热沉单元、N型GaN、有源层、P型GaN和P型电极；上述金属热沉单元厚度不小于50微米，金属热沉单元的横向为间隔控制100-200μm之间的呈周期性分布的小单元；本实用新型应用在低位错密度的LED芯片设计与制造技术领域。

主权项

低位错密度的LED芯片，包括：蓝宝石衬底(1)、GaN缓冲层(2)、N型电极(3)、反射层(4)、金属热沉单元(5)、N型GaN(6)、有源层(7)、P型GaN(8)和P型电极(9)，其特征在于：蓝宝石衬底(1)的上方自下而上依次设置有GaN缓冲层(2)、N型电极(3)、反射层(4)、金属热沉单元(5)、N型GaN(6)、有源层(7)、P型GaN(8)和P型电极(9)。