[发明专利]NMOS晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201010620564.7 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102569090A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇;张彬 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种NMOS晶体管的形成方法，包括：提供衬底，及位于衬底上的栅极结构；以所述栅极结构为掩膜，对所述衬底进行离子注入，在栅极结构两侧的衬底内形成源区和漏区；在暴露出的衬底表面和栅极结构表面形成阻挡层；在所述阻挡层上形成应力层，所述阻挡层用于阻挡形成应力层环境中的氢元素进入所述源区和漏区；对所述源区和漏区进行热处理；去除所述阻挡层和应力层。本发明在形成应力层前，先在所述衬底表面和栅极结构表面上形成致密的阻挡层，阻挡形成所述应力层环境中的氢元素进入所述衬底内的源区/漏区，避免氢元素加强源区/漏区的掺杂离子的扩散导致的阈值电压下降的问题，提高阈值电压的可靠性，进一步提高NMOS晶体管性能的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | nmos 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种NMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，及位于衬底上的栅极结构；以所述栅极结构为掩膜，对所述衬底进行离子掺杂，在栅极结构两侧的衬底内形成源区和漏区；在暴露出的衬底表面和栅极结构表面形成阻挡层，并在所述阻挡层上形成应力层；对所述源区和漏区进行热处理，激活源区和漏区内的掺杂离子；去除所述阻挡层和应力层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010620564.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多磁控管串联微波功率合成器
- 下一篇：一种气门摇臂弯曲疲劳试验装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
