[发明专利]一种减少金属腐蚀的清洗方法有效
| 申请号： | 201010620024.9 | 申请日： | 2010-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102569023A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 王胜利;彭洪修;刘兵 | 申请（专利权）人： | 安集微电子(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江高*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种减少金属层腐蚀的清洗方法。本发明在刻蚀残余清洗完成后的去离子水漂洗过程中，加入氧化剂。本发明的漂洗方法可利用铝的表面钝化的性质，在铝的表面形成了一层致密氧化膜，有效地减少了腐蚀的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 金属腐蚀 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种减少金属层腐蚀的清洗方法，刻蚀后的金属层在经清洗液刻蚀残余清洗后，经去离子水漂洗，其特征在于：在所述去离子水中加入氧化剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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