[发明专利]一种用60Coγ射线开展位移损伤试验的装置无效
申请号: | 201010617883.2 | 申请日: | 2010-12-31 |
公开(公告)号: | CN102147437A | 公开(公告)日: | 2011-08-10 |
发明(设计)人: | 冯展祖;李存惠;王云飞;高欣;田海;曹家玮 | 申请(专利权)人: | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00;G01T1/02 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 杨志兵;张利萍 |
地址: | 730000 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 本发明涉及一种用60Coγ射线开展位移损伤试验的装置,属于空间应用技术领域。所述装置为铝屏蔽层,所述铝屏蔽层放置在60Coγ射线辐照源与辐照样品之间,60Coγ射线辐照源发射出的60Coγ射线经过屏蔽层后到达辐照样品,屏蔽层的厚度为15~120mm;优选铝屏蔽层将辐照样品封闭包围,其中正对60Coγ射线辐照源的铝屏蔽层一面的厚度为15~120mm。本发明所述铝屏蔽层使60Coγ射线在受辐照样品中产生均匀位移损伤剂量沉积,相比样品直接暴露在60Coγ射线辐照场,克服了由于位移损伤在材料表面随入射深度急剧变化造成的误差。 | ||
搜索关键词: | 一种 sup 60 co 射线 开展 位移 损伤 试验 装置 | ||
【主权项】:
一种用60Coγ射线开展位移损伤试验的装置,其特征在于:所述装置为铝屏蔽层,所述铝屏蔽层放置在60Coγ射线辐照源与辐照样品之间,60Coγ射线辐照源发射出的60Coγ射线经过屏蔽层后到达辐照样品,屏蔽层的厚度为15~120mm。
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