[发明专利]改进的激光准剥离消除GaN外延片残余应力的方法有效
| 申请号： | 201010617788.2 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102148139A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 孙永健;张国义;陆羽;刘鹏 | 申请（专利权）人： | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;B23K26/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 谭一兵 |
| 地址： | 523500 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种改进的激光准剥离消除GaN外延片残余应力的方法，很好的释放晶格失配应力和热失配应力。本发明将GaN外延片加热，在200～900℃下，使用无损激光剥离技术在低于将GaN和蓝宝石衬底剥离的能量阈值下进行剥离，或达到激光剥离能量阈值，但激光间或扫描使GaN和蓝宝石界面形成网状分离的不完全分离状态，由此达到释放GaN外延片残余应力的目的。使用加热的情况下进行激光预剥离的方法，可以更有效更大程度上的释放残余应力，并减小损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 激光 剥离 消除 gan 外延 残余 应力 方法 | ||
【主权项】：
一种改进的激光准剥离消除GaN外延片残余应力的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：①、在激光准剥离之前，首先利用加温装置将放置GaN外延片的样品台加热，进而加热放置在上面的GaN外延片，将其加热到200～900℃，在外延片处在此温度下对样品进行准剥离；②、以固体激光器为激光光源，使用周长为3～1000微米，且两个最远角距离或最长直径不超过400微米的小光斑进行逐点逐行激光扫描，其中小光斑内部的能量分布情况是：光斑中心能量最强，向四周能量逐渐变弱；③、低于将GaN和蓝宝石衬底剥离的能量阈值下进行剥离，或达到激光剥离能量阈值，但激光间或扫描使GaN和蓝宝石界面形成网状分离的不完全分离状态，由此达到释放GaN外延片残余应力的目的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
