[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括：在第一绝缘层上顺序形成半导体基体、栅堆叠层及第二保护层；在确定栅极区域并去除栅极区域以外的第二保护层及栅堆叠层后，对半导体层执行离子注入操作以形成源漏区，并在栅极区域以外保留停止层、半导体层和覆盖半导体层的侧壁的第二绝缘层及暴露牺牲层；在形成第二侧墙以至少覆盖暴露的部分牺牲层后，去除第一保护层和第二保护层以暴露半导体层和栅堆叠层；并在暴露的半导体层和栅堆叠层上形成接触层；执行平坦化操作以暴露第一保护层，再以第一侧墙和第二侧墙为掩膜，去除第一保护层、牺牲层、停止层和半导体层以形成空腔，空腔暴露第一绝缘层。利于减小短沟道效应、源漏区电阻及寄生电容。

主权项

一种半导体器件的形成方法，包括：a)在第一绝缘层上顺序形成半导体基体、栅堆叠层及第二保护层，所述第二保护层经所述栅堆叠层覆盖所述半导体基体和所述第一绝缘层，所述半导体基体包括堆叠的图形化的半导体层、停止层、牺牲层和第一保护层、环绕图形化的所述牺牲层和第一保护层的第一侧墙以及覆盖所述图形化的半导体层的侧壁的第二绝缘层；b)在确定栅极区域并去除所述栅极区域以外的所述第二保护层及所述栅堆叠层后，对所述半导体层执行离子注入操作以形成源漏区，并在所述栅极区域以外保留所述停止层、所述半导体层和覆盖所述半导体层的侧壁的第二绝缘层及暴露所述牺牲层；c)在形成第二侧墙以至少覆盖暴露的部分所述牺牲层后，去除所述第一保护层和所述第二保护层以暴露所述半导体层和所述栅堆叠层；并在暴露的所述半导体层和所述栅堆叠层上形成接触层；d)执行平坦化操作以暴露所述第一保护层，再以所述第一侧墙和所述第二侧墙为掩膜，去除所述第一保护层、所述牺牲层、所述停止层和所述半导体层以形成空腔，所述空腔暴露所述第一绝缘层。