[发明专利]使用含碳氟化合物的聚合物使硅片顶角圆化的方法

摘要

一种使用含碳氟化合物的聚合物使硅片顶角圆化的方法，通过在沟道顶角上覆盖一层混合气体的聚合物薄膜，通过反应离子刻蚀，将其中CxFy解离形成等离子体与硅片表面进行化学刻蚀，增加CHF3来加速聚合物的薄膜形成，还引入O2，提高自由氟原子在等离子体中的比例，加快刻蚀速度；同时使解离的氩气离子加速进行物理溅射，来同时获得良好的各向异性和选择性。本发明还通过调节射频源功率，控制等离子体的密度及其撞击硅片表面的能量；设置射频偏压，使直流自偏压对鞘层中入射的离子进行能量和角度控制，改变顶角圆化的坡度。本发明使硅片表面的沟道顶角圆化，以避免因锐角效应而出现漏电流，也使后续沉积如金属层等其他薄膜时的阶梯覆盖性能更好。

主权项

一种使用含碳氟化合物的聚合物使硅片顶角圆化的方法，是在放置于处理腔室底部基座上的衬底硅片（10）的表面形成沟道（11）结构之后进行的反应离子刻蚀，其特征在于，所述方法包含以下步骤：步骤1. 向真空的处理腔室内通入含碳氟化合物和惰性气体的混合气体；步骤2. 在处理腔室内施加高频射频源，来生成所述混合气体中碳氟化合物的等离子体；步骤3.在所述硅片（10）表面的沟道（11）顶角（12）位置形成所述含碳氟化合物的聚合物薄膜（20）；步骤4. 由所述含碳氟化合物的聚合物对硅片（10）表面进行化学刻蚀使顶角（12）圆化。