[发明专利]串联型光电装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201010614094.3 | 申请日： | 2010-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102237417A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 明承烨 | 申请（专利权）人： | 韩国铁钢株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0256 | 分类号： | H01L31/0256;H01L31/0352;H01L31/075;H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人： | 葛强;邬玥 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种串联型光电装置及其制造方法，该串联型光电装置包括：第一电极，包括透明导电性氧化物层；第一单元电池，位于所述第一电极上，且包括依次层压的p型半导体层、纯半导体层和n型半导体层；第二单元电池，位于所述第一单元电池上，且包括依次层压的p型半导体层、纯半导体层和n型半导体层；第二电极，位于所述第二单元电池上；其中，所述第一单元电池的纯半导体层由氢化非晶硅或氢化非晶硅系物质构成，所述第二单元电池的纯半导体层由氢化微晶硅或氢化微晶硅系物质构成，相对于形成在所述第一电极表面上的凹凸的平均节距的均方根粗糙度为0.05～0.13。 | ||
| 搜索关键词： | 串联 光电 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电装置，其特征在于：所述光电装置包括：第一电极，包括透明导电性氧化物层；第一单元电池，位于所述第一电极上，且包括依次层压的p型半导体层、纯半导体层和n型半导体层；第二单元电池，位于所述第一单元电池上，且包括依次层压的p型半导体层、纯半导体层和n型半导体层；第二电极，位于所述第二单元电池上；其中所述第一单元电池的纯半导体层由氢化非晶硅或氢化非晶硅系物质构成，所述第二单元电池的纯半导体层由氢化微晶硅或氢化微晶硅系物质构成，相对于形成在所述第一电极表面上的凹凸的平均节距的均方根粗糙度为0.05～0.13。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
