[发明专利]用于抗蚀剂下层的包含芳香环的化合物,以及抗蚀剂下层组合物有效
申请号: | 201010613154.X | 申请日: | 2010-12-29 |
公开(公告)号: | CN102115426A | 公开(公告)日: | 2011-07-06 |
发明(设计)人: | 赵诚昱;田桓承;金旼秀;吴丞培;宋知胤 | 申请(专利权)人: | 第一毛织株式会社 |
主分类号: | C07C33/26 | 分类号: | C07C33/26;C07C33/36;G03F7/11 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 李丙林;张英 |
地址: | 韩国庆*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: |
本发明披露了由以下化学式1表示的含芳香环化合物和包含所述化合物的抗蚀剂的下层组合物。在化学式1中,每个取代基与具体实施方式中定义的相同。所述含芳香环化合物可以具有优异的光学性能、机械特性和蚀刻选择性特性,并且可以利用旋涂涂覆方法应用。它对于利用短波长的光刻过程也是有用的,并显示出最小的残留酸含量。本发明还提供了利用抗蚀剂的下层组合物图案化器件的方法。[化学式1] |
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搜索关键词: | 用于 抗蚀剂 下层 包含 芳香 化合物 以及 组合 | ||
【主权项】:
1.一种用于抗蚀剂的下层的由以下化学式1表示的含芳香环化合物:[化学式1]
其中,在化学式1中,R1到R6每一个独立地为取代的或未取代的C1到C10烷基基团、取代的或未取代的C5到C20芳香环基团、取代的或未取代的C3到C20环烷基基团、取代的或未取代的C3到C20环烯基基团、取代的或未取代的C2到C20杂芳基基团、或取代的或未取代的C2到C20杂环烷基基团,X1到X6每一个独立地为氢、羟基基团(-OH)、取代或未取代的烷基胺基团、取代或未取代的烷氧基基团、或氨基基团(-NH2),n1到n6每一个独立地为0或1,以及1≤n1+n2+n3+n4+n5+n6≤6。
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