[发明专利]α-三氧化二铝单晶体的生产方法无效
申请号: | 201010612217.X | 申请日: | 2010-12-29 |
公开(公告)号: | CN102011184A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 钱幼平;代成;唐大林 | 申请(专利权)人: | 四川鑫通新材料有限责任公司 |
主分类号: | C30B29/20 | 分类号: | C30B29/20 |
代理公司: | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人: | 罗丽;武森涛 |
地址: | 623002 四川省阿坝藏族羌族自治*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明属于人造蓝宝石晶体的制备方法技术领域,特别涉及α-三氧化二铝单晶体的生产方法。本发明α-三氧化二铝单晶体的生产方法,制得的单晶体直径大,具体包括加原料、插晶种、烧结晶体步骤,烧结晶体分为化料结晶、对中心、晶体扩大和等径生长;所述原料为δ-Al2O3或γ-Al2O3,插晶种所用晶种为M轴90°晶向或A轴75°晶向,烧结晶体时氢氧火焰比例为3.7~4.2∶1,火焰温度为2085~2090℃。本发明得到的单晶体外圆直径:φ42mm~φ45mm,总长度L=80mm~95mm,可用于微波介质材料、波导激光器、高精密度轴承元器件、大规模集成电子线路板等工业领域。 | ||
搜索关键词: | 氧化 单晶体 生产 方法 | ||
【主权项】:
α‑三氧化二铝单晶体的生产方法,包括加原料、插晶种、烧结晶体步骤,烧结晶体分为化料结晶、对中心、晶体扩大和等径生长;所述原料为δ‑Al2O3或γ‑Al2O3,插晶种所用晶种为M轴90°晶向或A轴75°晶向,其特征在于:烧结晶体时氢氧火焰比例为3.7~4.2∶1,火焰温度为2085~2090℃。
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