[发明专利]用于形成精细图案的光掩模及使用该光掩模形成精细图案的方法有效
| 申请号： | 201010610214.2 | 申请日： | 2010-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102103325A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 李健雨;郭尚圭;李昌淳 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F7/20;G02B5/20 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 杨勇;郑建晖 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有主图案和包含在主图案中的辅图案的光掩模。该光掩模使得甚至用具有相对较大尺寸的光掩模也可容易地形成精细图案。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 精细 图案 光掩模 使用 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成精细图案的光掩模，其中辅图案包含在主图案中。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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