[发明专利]一种氧化锌纳米线阵列的制备方法

摘要

一种氧化锌纳米线阵列的制备方法，属于材料技术领域。本发明首先采用薄膜沉积工艺在衬底表面沉积一层表面晶粒半径可控的金属薄膜；然后将金属薄膜采用面向下的方式浮于由等摩尔量的硝酸锌溶和六次甲基四胺配制的生长溶液表面，在60～90℃的温度条件下静置生长氧化锌纳米线阵列。通过控制金属薄膜表面晶粒的大小，可方便地获得不同生长密度的氧化锌纳米线阵列。与常规水热法利用生长溶液浓度控制氧化锌纳米线阵列生长密度的方法相比，本发明更易于实现氧化锌纳米线阵列生长密度的控制，且无需增加额外的步骤或成本就可以实现低温大面积对密度精度要求较高的氧化锌纳米线阵列的制备。

主权项

一种氧化锌纳米线阵列的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在衬底表面沉积一层金属薄膜；沉积金属薄膜时，通过控制薄膜沉积工艺的工艺条件控制金属薄膜表面晶粒半径的大小；步骤2：配制生长溶液。将等摩尔量的硝酸锌溶和六次甲基四胺溶于水中，控制溶液浓度在0.01～0.05mol·L‑1之间；步骤3：控制生长溶液温度在60～90℃之间，并将步骤1所得金属薄膜采用面向下的方式浮于步骤2所配制的生长溶液表面，静置2个小时以上，在金属薄膜表面生长出氧化锌纳米线阵列；步骤4：将表面生长了氧化锌纳米线阵列的金属膜取出，用去离子水清洗后在室温下自然干燥。