[发明专利]MOS晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201010606342.X | 申请日： | 2010-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102544095A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 于伟泽;尹海洲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/43;H01L29/41;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MOS晶体管及其制作方法，所述制作方法包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅介质层，伪栅，以及所述伪栅两侧的半导体衬底内的源区重掺杂区和漏区重掺杂区，其中，所述伪栅两侧还具有栅极侧墙；去除伪栅以在栅极侧墙内形成栅沟槽；在所述栅沟槽内靠近源区的一侧形成栅极；以所述栅极为掩膜在栅沟槽下方形成漏区LDD区。本发明提供的MOS晶体管及其制作方法中，所述栅极为非对称的结构，即仅位于栅沟槽内靠近源区一侧，在制作过程中，利用非对称的栅极作为掩膜，可以形成非对称的LDD区，省去了一道光刻工艺，能够降低制作成本，而且也可以缩小器件所占面积，有利于提高晶体管的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管，包括：半导体衬底；所述半导体衬底上的金属前介质层，所述金属前介质层中的栅极侧墙和栅极侧墙中的栅沟槽；所述栅沟槽两侧的半导体衬底内的源区和漏区；所述漏区具有LDD区，所述LDD区延伸至所述栅沟槽下方；其特征在于，所述栅沟槽内靠近源区的一侧具有栅极。
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