[发明专利]高击穿氮化镓基场效应晶体管器件及其制作方法无效
| 申请号： | 201010606241.2 | 申请日： | 2010-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102569390A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 彭铭曾;罗卫军;郑英奎;陈晓娟;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/20;H01L21/336;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高击穿氮化镓基场效应晶体管器件及其制作方法，首先在衬底上生长成核层；在成核层上生长低铝组分的铝镓氮高阻缓冲层；在铝镓氮高阻缓冲层上生长高迁移率氮化镓沟道层；在氮化镓沟道层上生长薄层的氮化铝隔离层；在氮化铝隔离层上生长铝镓氮势垒层；在铝镓氮势垒层上生长薄层的氮化物帽层；以及在所述氮化物帽层上形成源电极、漏电极以及栅电极。本发明降低了工艺的复杂性，并有效提高了氮化镓基场效应晶体管器件的击穿电压，同时提升了沟道中电子的迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 击穿 氮化 场效应 晶体管 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高击穿氮化镓基场效应晶体管器件的制作方法，所述方法包括以下步骤：a)提供一个衬底；b)在所述衬底上生长成核层；c)在所述成核层上生长低铝组分的铝镓氮高阻缓冲层；d)在所述铝镓氮高阻缓冲层上生长高迁移率氮化镓沟道层；e)在所述氮化镓沟道层上生长薄层的氮化铝隔离层；f)在所述氮化铝隔离层上生长铝镓氮势垒层；g)在所述铝镓氮势垒层上生长薄层的氮化物帽层；以及h)在所述氮化物帽层上形成源电极、漏电极以及栅电极。
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