[发明专利]一种不挥发信息存储单元无效
申请号: | 201010605698.1 | 申请日: | 2010-12-15 |
公开(公告)号: | CN102142444A | 公开(公告)日: | 2011-08-03 |
发明(设计)人: | 贾泽;张明明;张乃文;任天令 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L29/06 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 黄家俊 |
地址: | 100084 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了信息存储技术领域中的一种不挥发信息存储单元。该单元包括一种衬底材料,在衬底上制备一种金属材料作为下电极,铁电材料制备在下电极金属上,在铁电材料上制备有氧化物半导体材料,在半导体材料上制备有接触电极并形成源漏区域。该结构中制备在金属电极上的铁电材料结晶温度低并且极化特性好,氧化物半导体在铁电材料上制备可以避免铁电材料的高温结晶过程对半导体特性的影响。本发明中器件的制备工艺简单,可以降低成本,易于实现产业化。 | ||
搜索关键词: | 一种 挥发 信息 存储 单元 | ||
【主权项】:
一种不挥发信息存储单元,其特征是所述不挥发信息存储单元包括一层金属材料制备在衬底上作为下电极,一层铁电材料制备在下电极上,在铁电材料上制备出一层氧化物半导体,两个上电极区制备在氧化物半导体上并形成源漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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