[发明专利]采用表面微结构硅芯沉积多晶硅的方法有效
| 申请号： | 201010604262.0 | 申请日： | 2010-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102020277A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 钟真武;江宏富 | 申请（专利权）人： | 中科协鑫（苏州）工业研究院有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 肖明芳 |
| 地址： | 215000 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种采用表面微结构硅芯沉积多晶硅的方法，所述方法包括使含硅气体和氢气在表面温度为1000-1150℃的具有表面微结构的硅芯上沉积并制备多晶硅，该方法与现有采用直径8mm硅芯的制造方法相比，具有初始沉积表面积大、初始沉积速率快、降低还原电耗等优点，另外，该方法所述初具有表面微结构的硅芯可在现有反应器中直接应用，而无需改造设备，可节约大量设备改造费。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 表面 微结构 沉积 多晶 方法 | ||
【主权项】：
采用表面微结构硅芯沉积多晶硅的方法，包括使含硅气体和氢气在1000～1150℃的硅芯表面反应，反应生成的硅在炽热的硅芯表面沉积，使得硅芯直径逐渐长大形成多晶硅硅棒的步骤，其特征在于所述硅芯的表面具有微结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中科协鑫（苏州）工业研究院有限公司，未经中科协鑫（苏州）工业研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010604262.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高真空密封
- 下一篇：一种双氧水生产过程中尾气芳烃的回收装置及回收方法
