[发明专利]MOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010603672.3 | 申请日： | 2010-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102569389A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 金炎 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种MOS器件及其制造方法，所述器件包括：阱区位与阱区表面上的栅氧化膜、位于栅氧化膜表面上的栅极、分别位于栅极两侧的重掺杂区，所述重掺杂区靠近栅极的一侧分别包括高低压栅氧交界区；所述高低压栅氧交界区位于所述栅极下方。本发明实施例所提供的技术方案中，能够有效的减少高低压栅氧交界区对器件空间的占用，进而可以减小器件的间距，实现在相同的晶片面积中制造更多的器件，提高器件的生产效率和集成度，降低器件的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | mos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS器件，包括：阱区、位与阱区表面上的栅氧化膜、位于栅氧化膜表面上的栅极、分别位于栅极两侧的重掺杂区，所述重掺杂区靠近栅极的一侧分别包括高低压栅氧交界区，其特征在于：所述高低压栅氧交界区位于所述栅极下方。
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