[发明专利]金属互连线的制作方法无效
| 申请号： | 201010602566.3 | 申请日： | 2010-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102569168A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 王荣;顾勇;方浩;郭振强 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种金属互连线的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成金属层；在所述金属层表面形成抗反射层；在所述抗反射层表面形成光刻胶层，所述光刻胶层内形成有露出所述抗反射层的开口；沿所述开口依次刻蚀所述抗反射层和金属层，形成金属互连线；沿所述开口依次刻蚀所述抗反射层和金属层，形成金属互连线；沿所述开口位置进行刻蚀，形成有露出半导体衬底的沟槽；去除所述金属互连线上方的抗反射层和光刻胶层；在所述沟槽内填充介质层。本发明在不增加制作成本和工艺复杂度的情况下，提高了金属互连线制作工艺的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 互连 制作方法 | ||
【主权项】：
一种金属互连线的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成金属层；在所述金属层表面形成抗反射层；在所述抗反射层表面形成光刻胶层，所述光刻胶层内形成有露出所述抗反射层的开口；沿所述开口依次刻蚀所述抗反射层和金属层，形成金属互连线；沿所述开口位置进行刻蚀，形成有露出半导体衬底的沟槽；去除所述金属互连线上方的抗反射层和光刻胶层；在所述沟槽内填充介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
