[发明专利]基于自参考反相器的ITIR型阻变存储器及其读写方法无效
| 申请号： | 201010598105.3 | 申请日： | 2010-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102157196A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 贾泽;徐建龙;王林凯;任天令 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/10 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 贾玉健 |
| 地址： | 100084 北京市10*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于自参考反相器的ITIR型阻变存储器及其读写方法，通过设计此自参考读出反相器的一系列性能指标使得其能够正确实现数据分辨，从而完成读操作，大大优化了器件的可靠性、面积及功耗等性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 参考 反相器 itir 型阻变 存储器 及其 读写 方法 | ||
【主权项】：
一种基于自参考反相器的ITIR型阻变存储器，该自参考读出反相器的1T1R型阻变存储器包括n行m列1T1R型阻变存储阵列，该n行m列1T1R型阻变存储阵列由n×m个第i行第j列1T1R型阻变存储单元1T1R_cellij构成，其特征在于：1T1R型阻变存储阵列的第i行1T1R型阻变存储单元1T1R_celli(0.。。m‑1)同第i行字线WLi及第i行源线SLi相连接，1T1R型阻变存储阵列的第j列阻变存储单元1T1R_cell(0…n‑1)j通过第j列位线BLj连接至第j列读出电路，所述的所有读出电路都同读出电路使能信号Read_en及自参考读出反相器使能信号SEL相连接，其中i＝0….n‑1，j＝0….m‑1，i和j分别表示1T1R型阻变存储单元的行号和列号，n为1T1R型阻变存储阵列的行数，m为1T1R型阻变存储阵列的列数。
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