[发明专利]掺杂稀土金属氧化物的复合介电材料及其制造方法无效
| 申请号： | 201010591461.2 | 申请日： | 2010-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102148238A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 杨弘敦;马书第;陈庆轩 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/28;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾高*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种掺杂稀土金属氧化物的复合介电材料及其制造方法，其复合介电材料掺杂有稀土金属氧化物纳米粒子，所述纳米粒子嵌于二氧化硅玻璃基材内，且所述稀土金属氧化物纳米粒子与二氧化硅的玻璃复合物是由溶胶—凝胶法加以合成制备。所述玻璃复合物的介电值明显高于纯稀土金属氧化物的介电值。在磁场作用下，所述玻璃复合物的介电值有显著的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 稀土金属 氧化物 复合 材料 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种掺杂稀土金属氧化物的复合介电材料，其特征在于：所述复合介电材料包含：一基材及复数个纳米粒子，其中所述基材包含二氧化硅，且所述纳米粒子至少包含稀土金属氧化物，其中所述纳米粒子的粒径介于2至10纳米之间。
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