[发明专利]一种碳化硅用抛光液的制备和使用方法在审
| 申请号： | 201010591103.1 | 申请日： | 2010-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102127371A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张贺;陈小龙;黄青松;王锡铭 | 申请（专利权）人： | 苏州天科合达蓝光半导体有限公司;北京天科合达蓝光半导体有限公司;中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215163 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于高质量抛光碳化硅晶片表面的抛光液、抛光液的制备方法以及使用该抛光液的方法。该抛光液由去离子水、二氧化硅抛光液、辅助氧化剂、pH调节剂配制而成。利用此方法配制的抛光液无气味，分散均匀，状态稳定，无沉淀，可适当循环使用，加工晶片去除速率快，加工出的碳化硅晶片较光亮，50倍显微镜下观测无明显划痕且平整、均与，表面粗糙度经原子力显微镜检测可稳定达到纳米级。该抛光液的使用循环次数，可以通过改变加入辅助氧化剂和pH调节剂的量或者二者不同的比例来调节。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 抛光 制备 使用方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于加工高质量碳化硅晶片表面的抛光液，使用该抛光液或相应的抛光工艺，可以获得高质量碳化硅晶片；该抛光液的特征在于包括去离子水、二氧化硅抛光液、辅助氧化剂、PH调节剂配制而成；其制备工艺采用如下步骤：(1)将试剂氢氧化钾和焦磷酸钾在去离子水中按照三者质量比为1∶1∶10到9∶9∶1000混合，并搅拌均匀得到PH调节剂；(2)将过氧化氢、去离子水按体积比1∶1到100∶1的比例混合，并搅拌均匀得到辅助氧化剂搅拌速度不超过1000转每分钟(rmp)。(3)将辅助氧化剂和二氧化硅抛光液按照体积比1∶1到1∶100的比例混合搅拌均匀得到中间体，搅拌速度不超过1000rpm。(4)将PH调节剂混合到中间体中，并把PH调节至4～14搅拌速度不超过1000rpm。
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