[发明专利]一种薄膜太阳电池及其制备方法无效
| 申请号： | 201010590202.8 | 申请日： | 2010-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102544189A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 杨培;蒋猛;刘志强;辜琼谊;牛学鹏 | 申请（专利权）人： | 无锡尚德太阳能电力有限公司;四川尚德太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧霁晨;高为 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种薄膜太阳电池制备方法，所述方法先制备衬底，然后在所述衬底上形成薄膜电池层，接着在所述薄膜电池层上制备石墨烯过渡层，最后在所述过渡层上形成背金属电极。本发明还提供一种薄膜太阳电池。通过本发明所述的方法所制备的电池以及本发明所述的薄膜太阳电池的薄膜电池层与背金属电极之间具有良好的欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜太阳电池制备方法，其特征在于，所述方法包括：制备衬底，在所述衬底上形成薄膜电池层，在所述薄膜电池层上制备石墨烯过渡层，在所述石墨烯过渡层上形成背金属电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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