[发明专利]一种多重金属扩散快恢复二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201010589316.0 | 申请日： | 2010-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102117840A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 毛建军;陈福元;冷思明;朱志远;胡煜涛;王铮 | 申请（专利权）人： | 杭州杭鑫电子工业有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L21/22 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310053 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多重金属扩散快恢复二极管及其制备方法。它包括如下步骤：1）在N-型半导体轻掺杂硅片正反面分别扩散入P+型和N+型杂质，得到P+N-N+硅整流二极管扩散片；2）P+N-N+硅片表面喷砂打毛。用电子化学清洗1#液清洗P+N-N+硅片，经过纯水冲洗；再用电子化学清洗2#液清洗，硅片甩干；3）高温下金、铂、钯多重金属同时一次扩散进入P+N-N+硅片中；4）P+N-N+硅片双表面喷砂打毛，双表面镀上镍层，锯切成快恢复整流二极管芯片；5）通过隧道炉将快恢复整流二极管芯片与封装底座焊接；6）用混合酸液对快恢复整流二极管毛坯上的芯片外露部分进行化学腐蚀清洗、上保护胶、压模成型封装。本发明简化快恢复整流二极管的制造工艺流程，降低成本，提高产品性价比。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多重 金属 扩散 恢复 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多重金属扩散快恢复二极管，其特征在于在P+N‑N+硅整流二极管扩散片中一次扩散入金、铂、钯多重金属，制成快恢复整流二极管。
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