[发明专利]一种磁控溅射靶磁场源无效
| 申请号： | 201010587389.6 | 申请日： | 2010-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102543354A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 杨海刚;张基东;宋桂林;王天兴;尤天友;常方高 | 申请（专利权）人： | 河南师范大学 |
| 主分类号： | H01F7/02 | 分类号： | H01F7/02;C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 453007*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁控溅射靶磁场源，该磁场源能够产生辐射状环形磁场。该磁场源的构成为：在一个磁环中间放一个磁柱，磁柱的磁场方向与磁坏的磁场方向相反，从而形成辐射状的磁场。其特征在于：能够产生辐射状环形磁场，具有生产和使用成本低、安装方便、使用寿命长等特点。在磁控溅射镀膜领域具有很大的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁控溅射 磁场 | ||
【主权项】：
一种磁控溅射靶磁场源，该磁场源的构成为：在一个磁环中间放一个磁柱，磁柱的磁场方向与磁环的磁场方向相反，从而形成辐射状的磁场。
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