[发明专利]自旋转矩振荡磁致电阻传感器和磁致电阻多传感器阵列有效
| 申请号： | 201010585947.5 | 申请日： | 2010-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102136275A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 帕特里克.M.布拉甘卡;布鲁斯.A.格尼 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明提供一种自旋转矩振荡磁致电阻传感器和磁致电阻多传感器阵列。自旋转矩磁致电阻传感器具有非常小的间隙厚度。该传感器通过测量传感器的磁层中的自旋转矩引发的磁振荡的频率改变来检测磁场的存在。该传感器包括通过其间薄的非磁耦合层反平行耦合的一对自由磁层。该传感器不包括被钉扎层结构或者相关的AFM钉扎层，这允许该传感器构造得远薄于现有技术传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 转矩 振荡 致电 传感器 阵列 | ||
【主权项】：
一种自旋转矩振荡磁致电阻传感器，包括：第一磁层；第二磁层；非磁层，夹在该第一磁层和该第二磁层之间，该非磁层具有反平行耦合该第一磁层和该第二磁层的厚度；以及电路，传送检测电流通过该第一磁层、该第二磁层和该间隔层，该检测电流引起该第一磁层和该第二磁层的磁化的振荡，该振荡具有响应于磁场的存在而改变的频率。
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