[发明专利]去边宽度检测方法有效
| 申请号： | 201010581455.9 | 申请日： | 2010-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102569113A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 邹永祥;黄玮;张辰明;胡骏;刘志成 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G03F7/20;G01B5/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种去边宽度检测方法，该方法包括：在晶片边缘的划片槽内进行一段预设距离的曝光，曝光的图案为多个相同的、径向等间距的对位标记，每个对位标记均包括周期性重复图形；记录一个对位标记的长度、相邻对位标记之间的间距、对位标记中一个重复图形的长度及相邻重复图形之间的间距；对晶片进行显影，显露出所述多个对位标记中的部分对位标记；计算自曝光起始位置沿径向到晶片去边边缘的距离，该距离称为显露出的对位标记的长度；所述预设距离和显露出的对位标记的长度之差即为去边宽度。本发明还提供了另一种去边宽度检测方法。通过本发明所提供的方法，能够精确检测出晶片边缘的去边宽度；且使用范围不受限制。 | ||
| 搜索关键词： | 宽度 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种去边宽度检测方法，其特征在于，包括：在晶片边缘的划片槽内进行一段预设距离的曝光，曝光的图案为多个相同的、径向等间距的对位标记，每个对位标记均包括周期性重复图形；记录一个对位标记的长度、相邻对位标记之间的间距、对位标记中一个重复图形的长度及相邻重复图形之间的间距；对晶片进行显影，显露出所述多个对位标记中的部分对位标记；计算自曝光起始位置沿径向到晶片去边边缘的距离，该距离称为显露出的对位标记的长度；所述预设距离和显露出的对位标记的长度之差即为去边宽度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010581455.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
