[发明专利]一种具有高介电常数的聚合物-钾盐复合材料的制备方法无效
| 申请号: | 201010581345.2 | 申请日: | 2010-12-09 |
| 公开(公告)号: | CN102157354A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
| 发明(设计)人: | 朱基亮;王明松;李绪海;朱建国;肖定全 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/312;C08L27/16;C08K3/26;C08K5/098 |
| 代理公司: | 成都科海专利事务有限责任公司 51202 | 代理人: | 刘双兰 |
| 地址: | 610207 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | 本发明涉及一种具有高介电常数聚合物-钾盐复合材料及其制备方法。该方法是将聚合物聚偏氟乙烯与钾盐按设计的体积分数比计算出所需用量,然后用有机溶液溶解聚偏氟乙烯,在溶解后的聚偏氟乙烯液体中加入钾盐并超声振荡至钾盐均匀分散在所述聚偏氟乙烯液体中,得复合液体,接着加入酒精使PVDF从有机溶液中析出,并抽滤得到复合材料粉体;将制得的复合材料粉体经冷压成型后加温处理成复合材料样品,再在其样品表面溅射金电极,即制得具有相对介电常数高达105~106的聚合物聚偏氟乙烯-钾盐复合材料。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 具有 介电常数 聚合物 钾盐 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种具有高介电常数的聚合物‑钾盐复合材料的制备方法,其特征在于包括以下工艺步骤:(1)将聚合物聚偏氟乙烯(PVDF)与钾盐按照体积分数比100‑x∶x计算出所需用量,其比例中所述x的范围为1~99;(2)将步骤(1)算出的PVDF和钾盐的用量称量好,然后用20~50ml有机溶液溶解PVDF,在溶解后的PVDF液体中再加入钾盐,并超声至钾盐均匀分散在聚偏氟乙烯液体中与其发生反应,得复合液体;然后抽滤复合液体,得到复合材料粉体;(3)将步骤(2)中得到的复合材料粉体用冷干压法经10~20MPa压力压成直径为10~20mm,厚度为0.3~1mm的圆片;(4)将步骤(3)中得到的圆片置于马弗炉中,在80~250℃的温度下热处理2~8h,即制得聚合物‑钾盐复合材料样品;(5)将步骤(4)中获得的聚合物‑钾盐复合材料样品表面通过离子溅射仪溅射上金属电极,即制得具有高介电常数的聚合物‑钾盐复合材料,将其放置24小时后测试其介电性能。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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