[发明专利]单晶硅棒抛光用高孔隙率陶瓷结合剂砂轮制备方法有效
| 申请号: | 201010579583.X | 申请日: | 2010-12-09 |
| 公开(公告)号: | CN102092010A | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
| 发明(设计)人: | 郭兵健 | 申请(专利权)人: | 郭兵健 |
| 主分类号: | B24D3/18 | 分类号: | B24D3/18;B24D18/00 |
| 代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 马强 |
| 地址: | 313000 浙江省湖州市长兴县经*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | 一种单晶硅棒抛光用高孔隙率陶瓷结合剂砂轮制备方法,步骤为:将海绵板按所需砂轮规格裁剪,再清洗干燥待用;将金刚石磨料与硼玻璃粉、长石粉、石英粉按一定质量比在球磨条件下混合均匀后,与水玻璃溶液按比例配成陶瓷浆料;将海绵板放入密闭容器中抽真空,用导管向容器中导入陶瓷浆料浸渍海绵板,保压;取出浸渍有陶瓷浆料的海绵板,干燥,擦去表面多余浆料,再干燥;重复浸渍、干燥步骤2次;将浸渍完全的海绵板在80℃烘箱中干燥24小时,放入井式炉,用白刚玉完全掩埋,在N2保护下烧结,700℃保温1小时,随炉冷却;将烧结后的砂轮坯体进行外圆、内圆和平面加工,即得。本方法可制备出组织结构一致,孔隙含量高于60%的金刚石砂轮。 | ||
| 搜索关键词: | 单晶硅 抛光 孔隙率 陶瓷 结合 砂轮 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种单晶硅棒抛光用高孔隙率陶瓷结合剂砂轮制备方法,其特征是,该方法为:(1)制备陶瓷浆料:a.干粉料的重量百分比组成:金刚石(粒径10‑40μm) 48%‑52%,硼玻璃粉(粒径10‑40μm) 28%‑32%,粘土粉(粒径10‑40μm) 8%‑12%,石英粉(粒径10‑40μm) 8%‑12%;将上述各组分混合均匀,得干粉料;b.制备陶瓷浆料:按重量百分比取68%‑72%的干粉料与28%‑32%的水玻璃溶液,均匀混合,即得;(2)制备多孔金刚石砂轮:将裁剪好的海绵模板在真空条件下反复浸渍加有所述陶瓷浆料,浸渍体干燥后放入井式炉中,用粒度为240#的白刚玉完全掩埋,在N2保护下烧结,0℃~400℃的升温速率为1℃/分钟,400℃~700℃的升温速率为5℃/分钟,在700℃保温1小时;然后随炉冷却,得烧结后的砂轮坯体;将烧结后的砂轮坯体在工具磨床上进行外圆、内圆和平面加工,获得加工单晶硅棒用多孔金刚石砂轮。
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