[发明专利]GaN微波器件T型栅的制作方法有效
| 申请号： | 201010579121.8 | 申请日： | 2010-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102064104A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 王勇;李亮;秘瑕;彭志农;周瑞;蔡树军 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/338;H01L29/78 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种GaN微波器件的T型栅的制作方法，其包括下述步骤：①在GaN基片上生长高温介质层，所述高温介质层的成分为Si3N4；②在上述高温介质层的上表面生长低温介质层，所述低温介质层的成分为SiOxNy；③在上述低温介质层上光刻出所需尺寸的栅凹槽光刻图形，再采用干法刻蚀在所述低温介质层和高温介质层上刻蚀出栅凹槽，并去除剩余的光刻胶；④在低温介质层上光刻出与所述栅凹槽对准的栅帽光刻图形；⑤在上述栅帽图形内制作GaN基体上的肖特基势垒栅。采用本发明栅长更容易控制，提高了GaN微波器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | gan 微波 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种GaN微波器件T型栅的制作方法，其特征在于包括下述步骤：①在GaN基片（1）上生长高温介质层（2），所述高温介质层（2）的成分为Si3N4；②在所述高温介质层（2）的上表面生长低温介质层（3），所述低温介质层（3）的成分为SiOxNy，x＞0，y＞0；③在上述低温介质层（3）上采用单层光刻胶光刻出所需尺寸的栅凹槽的光刻图形（4），再采用干法刻蚀在所述低温介质层（3）和高温介质层（2）上刻蚀出栅凹槽（5），并去除剩余的光刻胶；④在低温介质层（3）上采用多层光刻胶光刻出与所述栅凹槽（4）对准的栅帽光刻图形（6）；⑤在上述栅帽光刻图形（6）内制作GaN基体（1）上的肖特基势垒栅（8）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十三研究所，未经中国电子科技集团公司第十三研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010579121.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
